NTH4L020N090SC1
  • NTH4L020N090SC1

NTH4L020N090SC1

碳化硅 (SiC) MOSFET 采用全新技术，与硅相比可提供卓越的开关性能和更高的可靠性。此外，低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷。因此，系统优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的 EMI 和更小的系统尺寸。
  • 高结温
  • 900V 额定值
  • 100% UIL 测试
  • 符合 RoHS 标准

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